PN-EN IEC 63373:2022-11 - wersja angielska
Bez VAT:
100,60 PLN
Z VAT:
123,74 PLN
Wytyczne dotyczące metody badania dynamicznej odporności na włączenie dla urządzeń do konwersji mocy opartych na GaN HEMT
Zakres
Ogólnie, badanie dynamicznej odporności na włączenie jest miarą zjawiska pułapkowania ładunku w tranzystorach mocy GaN. Niniejsza publikacja opisuje wytyczne dotyczące badania dynamicznej odporności na włączenie rozwiązań bocznych tranzystorów mocy GaN. Metody badań można zastosować do:
a) wzmocnienie GaN i dyskretne urządzenia zasilające w trybie zubożenia [3];
b) zintegrowane rozwiązania zasilania GaN;
c) powyższe na poziomach wafli i opakowań.
Zalecane metody testowe mogą być stosowane do charakteryzacji urządzeń, testów produkcyjnych, ocen niezawodności i ocen zastosowań urządzeń do konwersji mocy GaN. Celem niniejszego dokumentu nie jest omówienie podstawowych mechanizmów dynamicznej odporności na włączenie ani jej symbolicznego przedstawienia dla specyfikacji produktu.