PN-EN 62417:2010 - wersja angielska
Bez VAT:
73,80 PLN
Z VAT:
90,77 PLN
Przyrządy półprzewodnikowe -- Badanie jonów mobilnych w tranzystorach MOSFET
Zakres
Celem tych badań jest określenie liczby ruchomych dodatnich ładunków w warstwach tlenkowych struktury półprzewodnikowej. Ruchome ładunki mogą powodować degradację przyrządów mikroelektronicznych np. przez przesunięcie napięcia progowego tranzystorów MOS lub przez odwrócenie polaryzacji bazy w tranzystorze bipolarnym. Wymuszenie przykłada się na strukturach testowych w podwyższonej temperaturze, w której ruchome jony mogą przekroczyć bariery energetyczne przez warstwy graniczne i w której ruchliwość jonów w tlenku jest dostatecznie wysoka. Opisano następujące metody badań: Wymuszenia polaryzacja - temperatura (BTS) oraz Omiatania/Przeszukiwania napięciem trójkątnym (TVS)
