Strona główna /
PN-EN 62416:2010 - wersja angielska

PN-EN 62416:2010 - wersja angielska

Bez VAT: 82,20 PLN Z VAT: 101,11 PLN

Przyrządy półprzewodnikowe -- Badanie gorących nośników w tranzystorach MOS

Zakres

Opisano badanie gorących nośników w strukturach tranzystorów NMOS i PMOS. Badanie ma na celu określenie czy pojedyncze tranzystory w określonych procesach (C) MOS zapewniają wymagany czas życia gorących nośników

* Forma udostępnienia: Plik - 82,20 PLN

Papier - 82,20 PLN

Czytelnia - pakiet (30 minut) - 15,40 PLN

* wymagane pola

Bez VAT: 82,20 PLN Z VAT: 101,11 PLN

Liczba stanowisk: Liczba:

Informacje dodatkowe

Numer	PN-EN 62416:2010 - wersja angielska
Tytuł	Przyrządy półprzewodnikowe -- Badanie gorących nośników w tranzystorach MOS
Data publikacji	22-09-2010
Liczba stron	12
Grupa cenowa	F
Sektor	SEK, Sektor Elektroniki
Organ Techniczny	KT 60, Energoelektroniki i Przyrządów Półprzewodnikowych
Wprowadza	EN 62416:2010 [IDT], IEC 62416:2010 [IDT]
ICS	31.080