PN-EN 62047-6:2010 - wersja angielska

Bez VAT: 117,00  PLN Z VAT: 143,91  PLN
Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 6: Metody badania zmęczenia osiowego w materiałach cienkowarstwowych

Zakres

Omówiono metodę badania materiałów cienkowarstwowych o długości i szerokości poniżej 1 mm, a grubości od 0,1 um do 10 um na zmęczenie spowodowane działaniem sił osiowych o stałej amplitudzie obciążenia lub o stałej amplitudzie przemieszczenia. Cienkie warstwy są podstawowym materiałem dla sytemów MEMS i mikromaszyn. Główne materiały konstrukcyjne dla systemów MEMS, mikromaszyn itd. mają szczególne właściwości, np. typowe rozmiary rzędu kilku mikrometrów, wytwarzanie materiałów przez nanoszenie oraz przygotowanie próbek do badań za pomocą obróbki innej niż mechaniczna w tym fotolitografii. Badania przeprowadza się w temperaturze pokojowej, w powietrzu, z obciążeniem wzdłuż osi podłużnej próbki

* wymagane pola

Bez VAT: 117,00  PLN Z VAT: 143,91  PLN

Informacje dodatkowe

Numer PN-EN 62047-6:2010 - wersja angielska
Tytuł Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 6: Metody badania zmęczenia osiowego w materiałach cienkowarstwowych
Data publikacji 25-08-2010
Liczba stron 18
Grupa cenowa J
Sektor SEK, Sektor Elektroniki
Organ Techniczny KT 60, Energoelektroniki i Przyrządów Półprzewodnikowych
Wprowadza EN 62047-6:2010 [IDT], IEC 62047-6:2009 [IDT]
ICS 31.080.99