PN-EN 60749-44:2017-01 - wersja angielska

Niniejsza część IEC 60749 ustanawia procedurę dla mierzenia skutków pojedynczego zdarzenia (SEE) w przyrządach półprzewodnikowych o wysokiej gęstości układów scalonych, z uwzględnieniem zdolności przechowywania danych przyrządów półprzewodnikowych z pamięcią, gdy są wystawione na atmosferyczne promieniowanie neutronowe wytwarzane przez promienie kosmiczne. Czułość skutków pojedynczego zdarzenia jest mierzona, podczas gdy przyrząd jest poddany promieniowaniu w wiązce neutronów o znanym strumieniu. Ta metoda badania może być zastosowana do jakiegokolwiek typu układu scalonego. Uwaga 1: Przyrządy półprzewodnikowe pod wpływem działania wysokiego napięcia elektrycznego mogą być wystawione na skutki pojedynczego zdarzenia, w tym SEB, pojedyncze zdarzenie wypalenia i pojedyncze zdarzenie przebicia izolacji bramki (SEGR); dla takiego tematu, który jest nie ujęty w tym dokumencie, proszę skierować się do IEC 62396-4. Uwaga 2: W dodatku dla neutronów o wysokiej energii niektóre przyrządy mogą mieć zaniżoną ocenę błędów z powodu niskiej energii (<1 eV) neutronów termicznych. Dla takiego tematu, który nie jest ujęty w tym dokumencie, proszę skierować się do IEC 62396-5.