Wyniki wyszukiwania dla 'pn'
-
Tranzystory -- Pomiar prądów wstecznych ICBO i IEBO
-
Tranzystory -- Pomiar prądów wstecznych ICBO i IEBO
-
Tranzystory -- Pomiar napięć nasycenia UCEsat i UBEsat metodą impulsową
-
Tranzystory -- Pomiar napięć przebicia U(BR)CEO, U(BR)CER, U(BR)CES, U(BR)CEX metodą impulsową
-
Tranzystory -- Pomiar H21E metodą impulsową
-
Tranzystory -- Pomiar prądów resztkowych ICER, ICES, ICEV i prądu zerowego ICEO
-
Tranzystory -- Pomiar prądów resztkowych ICER, ICES, ICEV i prądu zerowego ICEO
-
Tranzystory -- Pomiar napięć przebicia UCEO(SUS) i UCER(SUS)
-
Tranzystory -- Pomiar h21e w zakresie m -- cz
-
Tranzystory -- Pomiar h21e w zakresie m.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar pojemności CCBO i CEBO
-
Tranzystory -- Pomiar pojemności CCBO i CEBO
-
Tranzystory -- Pomiar parametrów [y] w zakresie w.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar modułu (h21e) w zakresie w -- cz -- i częstotliwości ft
-
Tranzystory -- Pomiar modułu (h21e) w zakresie w.cz. i częstotliwości fT
-
Tranzystory -- Pomiar stałej czasowej sprzężenia zwrotnego rbb Cc
-
Tranzystory -- Pomiar stałej czasowej sprzężenia zwrotnego r'bb.Cc
-
Tranzystory -- Pomiar rezystancji bazy przy w.cz.rbb'
-
Tranzystory -- Pomiar h11e w zakresie m.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar h12e w zakresie m.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar h22e w zakresie m.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar h11b w zakresie m.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar h22b w zakresie m.cz.
-
Tranzystory -- Pomiar czasów przełączania td, tr, ts i tf
-
Tranzystory -- Pomiary parametrów szumów
-
Tranzystory -- Pomiar rezystancji termicznej złącze-otoczenie Rthj-a i złącze-obudowa Rthj-c
-
Diody -- Pomiar prądu wstecznego IR
-
Elementy półprzewodnikowe -- Diody -- Pomiar prądu wstecznego IR
-
Diody -- Pomiar napięcia przewodzenia UF
-
Elementy półprzewodnikowe -- Diody -- Pomiar napięcia przewodzenia UF
-
Diody -- Pomiar pojemności CR
-
Elementy półprzewodnikowe -- Diody -- Pomiar pojemności Ctot
-
Diody -- Pomiar czasu ustalania się prądu wstecznego trr i prądu wstecznego irr po przełączeniu impulsowym
-
Diody -- Pomiar czasu ustalania się prądu wstecznego trr i prądu wstecznego irr po przełączeniu impulsowym
-
Diody -- Pomiar napięcia przewodzenia po przełączeniu impulsowym UFR lub UFM i czasu ustalania się napięcia przewodzenia tfr
-
Diody -- Pomiar parametrów UFR, UFRM i tfr
-
Diody -- Pomiar ładunku przełączania Qs
-
Diody -- Pomiar ładunku przełączania Qr
-
Stabilistory -- Pomiar współczynnika temperaturowego napięcia stabilizacji alfauz
-
Stabilistory -- Pomiar napięcia stabilizacji Uz
-
Stabilistory -- Pomiar rezystancji dynamicznej rz
-
Elementy półprzewodnikowe -- Stabilistory -- Pomiar rezystancji dynamicznej rz
-
Diody -- Metoda pomiaru szeregowej rezystancji zastępczej rs
-
Diody -- Pomiar szeregowej rezystancji zastępczej rF
-
Diody zmiennej pojemności (warikapy) -- Pomiar szeregowej rezystancji zastępczej rs metodą rezonansową
-
Stabilistory -- Pomiar napięcia stabilizacji Uz metodą impulsową
-
Diody o zmiennej pojemności (warikapy) -- Pomiar szeregowej rezystancji zastępczej rs metodą mostkową
-
Diody -- Pomiar napięcia przewodzenia UF metodą impulsową
-
Elementy półprzewodnikowe -- Metody pomiaru parametrów tranzystorów polowych -- Postanowienia ogólne
-
Elementy półprzewodnikowe -- Metody pomiarów parametrów tranzystorów polowych -- Postanowienia ogólne